重庆主板晶振

因为5404的电压反馈是靠C2的，假设C2过大，反馈电压过低，这个也是不稳定，假设C2过小，反馈电压过高，储存能量过少，容易受外界干扰，也会辐射影响外界。C1的作用对C2恰好相反。因为我们布板的时候，假设双面板，比较厚的，那么分布电容的影响不是很大，假设在高密度多层板时，就需要考虑分布电容。有些用于工控的项目，建议不要用无源晶振的方法来起振，而是直接接有源晶振。也是主要由于无源晶振需要起振的原因，而工控项目要求稳定性要好，所以会直接用有源晶振。在有频率越高的频率的晶振，稳定度不高，所以在速度要求不高的情况下会使用频率较低的晶振。内部振荡器、无源晶振、有源晶振有什么区别？重庆主板晶振

晶体，相当于三点式里面的电感，C1和C2就是电容，5404和R1实现一个NPN的三极管，大家可以对照高频书里的三点式电容振荡电路。接下来分析一下这个电路。5404必需要一个电阻，不然它处于饱和截止区，而不是放大区，R1相当于三极管的偏置作用，让5404处于放大区域，那么5404就是一个反相器，这个就实现了NPN三极管的作用，NPN三极管在共发射极接法时也是一个反相器。接下来用通俗的方法讲解一下这个三点式振荡电路的工作原理，大家也可以直接看书。大家知道一个正弦振荡电路要振荡的条件是，系统放大倍数大于1，这个容易实现，相位满足360°，接下来主要讲解这个相位问题：5404因为是反相器，也就是说实现了180°移相，那么就需要C1，C2和Y1实现180°移相就可以，恰好，当C1，C2，Y1形成谐振时，能够实现180移相，这个大家**简单的可以以地作为参考，谐振的时候，C1、C2上通过的电流一样，地在C1、C2中间，所以恰好电压相反，实现180移相。当C1增大时,C2端的振幅增强，当C2降低时，振幅也增强。浙江晶振起振国产企业突破光刻技术，推进晶振产品向小型化、高精度趋势发展。

温度补偿晶体振荡器(TCXO)如果固有频率与石英晶体的温度稳定度无法满足应用要求，就可以采用温度补偿单元。TCXO使用温度感测元件以及产生电压曲线的电路，在整个温度范围内，该电压曲线与晶体的频率变化趋势完全相反，所以可理想地抵消晶体的漂移。根据TCXO的类型和温度范围，TCXO的典型稳定度规范范围为小于±0.5ppm至±5ppm。压控晶体振荡器(VCXO)在一些应用中，期望能够调谐或调整振荡器的频率，以便将其锁相到锁相环(PLL)中的参考，或可能用于调节波形。VCXO透过电子频率控制(EFC)电压输入，提供了这项功能。对于某些特定元件，VCXO的调谐范围规格可能在±10ppm到±100ppm(甚至更高)。

传染病过后国内厂商陆续提价，无源晶振国产替代迎来契机。对比四家晶振厂商低频及高频晶体谐振器产品参数，日本、中国台湾、大陆厂商在无源晶振领域并无明显差异。目前，中国凭借劳动力成本、市场规模优势，已经发展成为无源晶振主要制造基地。2020年传染病导致全球晶振产能减少，供需状况发生转变。3月后，中国情势已经逐步好转产能释放在即，晶振行业迎来国产替代契机。根据公开资料显示，泰晶科技等国内晶振企业已于2月20日对产品亦进行新一轮提价，中国厂商在无源领域的优势将逐步凸显。选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。

4、输出波形然后要选择输出波形以匹配振荡器将在系统中驱动的负载。常见的输出之一是CMOS——以驱动逻辑电平输入。CMOS输出将是在地电位和系统的Vdd轨之间摆动的方波。对于高于约100MHz的较高频率，通常使用差分方波。这些振荡器具有两个180°异相的输出、具有快速上升和下降时间以及非常小的抖动。通用的类型是LVPECL和LVDS。如果振荡器用于驱动RF组件、如混频器或其它具有50Ω输入阻抗的器件，则通常会指定某个功率级别的正弦波输出。产生的输出功率通常在0dBm到+13dBm(1mW到20mW)之间，尽管如果需要可以输出更高功率。光刻工艺是生产高基频晶振的关键。内蒙古有源晶振 无源晶振

下游推动需求释放，晶振市场空间广阔。重庆主板晶振

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